Волкова Наталья Сергеевна

Область научных интересов: Электронные процессы в полупроводниковых квантово-размерных гетеронаноструктурах; растровая электронная микроскопия, элементный анализ.

Образование и карьера:

2005–2011: студентка физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского, кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники.

2011-2014: аспирант физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского по специальности «Физика полупроводников».

2012-2014: инженер кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического ф-та ННГУ им. Н.И. Лобачевского.

2014-2017: инженер лаборатории неорганических материалов отдела химии неорганических соединений НИИ химии ННГУ им. Н.И. Лобачевского.

2015: защита кандидатской диссертации на тему «Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии».

2017 – настоящее время: м.н.с. лаборатории неорганических материалов отдела химии неорганических соединений НИИ химии ННГУ им. Н.И. Лобачевского.

Избранные публикации:

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1525–1528.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Investigation of the energy spectra and the electron-hole alignment of the InAs/GaAs quantum dots with an ultrathin cap layer // Solid State Communications. № 240. 2016. P. 20-23.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy // Nano. № 11. V. 10. 2016. P. 1650109.